양자팹(Qfab)

단위 공정 서비스

장비 안내

공정(process)명

E-beam lithography (전자빔 노광기)

모델명	EBPG5150 Plus	Maker	RAITH
담당자	문인용	연락처	031-299-4196
E-mail	q.fab@skku.edu	상태	(가동중)
장비 사양	Beam acc. voltage : 100 kV Beam current : 0.1 ~ 200 nA Maximum scan freq. : 125 MHz High stability in Beam current, Beam positioning Mark detection and alignment function Wafer loading and transfer: at least 2 holder/cassette load lock transfer system
공정 성능	Overlay accuracy : < 10 nm Stitching accuracy : < 10 nm Min line width : > 20 nm

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size							기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Diamond	조각	2”	3”	4”	5”	6”	8”	플랫	노치	Normal	Special

공정(process)명

Contact mask aligner (접촉식 마스크 노광기)

모델명	MDA-400S	Maker	MIDAS
담당자	문인용	연락처	031-299-4196
E-mail	q.fab@skku.edu	상태	(가동중)
장비 사양	Mask Holder : Multi ~ 7 inch x 7 inch UV Exposure Light source with 350 Watt Power Supply Wavelength : 350 nm to 450 nm Dual CCD zoom microscope Alignment Tooling Module with X, Y, Z and Theta (Θ) motion Wedge Error Compensation System (leveling plate type) Dimension : 1000 (W) x 950 (D) x 850 (H) mm
공정 성능	Resolutions Vacuum Contact : 1 μm @ Thin PR (thickness: 1 μm) Hard Contact : 2 μm Soft contact : 3 μm Proximity (20 μm) : 5 μm

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size							기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Diamond	조각	2”	3”	4”	5”	6”	8”	플랫	노치	Normal	Special

공정(process)명

Sputter (스퍼터 증착기)

모델명	22KV6025	Maker	Korea Vacuum Tech
담당자	유석범	연락처	031-299-4196
E-mail	q.fab@skku.edu	상태	(가동중)
장비 사양	Substrate bias power : ~300W DC Power supply : ~700W Substrate Temp. : ~900 ℃ ± 3℃ @ 4inch Ultimate pressure : Below 5×10E-9 Torr Target : Al(2”), Nb(3”) Gas supply : Ar, O2, N2
공정 성능	초전도 양자 소자의 공진기 및 안테나 용도의 화합물 초전도체 고진공 스퍼터 증착 및 In-situ 표면 클리닝 사용 Deposition uniformity ≤ ±3%

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size							기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Diamond	조각	2”	3”	4”	5”	6”	8”	플랫	노치	Normal	Special

공정(process)명

E-beam deposition (전극용 전자빔 증착기)

모델명	21KVS006	Maker	Korea Vacuum Tech
담당자	유석범	연락처	031-299-4196
E-mail	q.fab@skku.edu	상태	(가동중)
장비 사양	4 pockets × 25 cc crucible Ultimate pressure : ≤5×10-8 Torr Max. emission current: ≤1,000 mA QCM deposition control unit
공정 성능	초전도 양자 소자의 전극 증착 Layer: Ti/Au Deposition uniformity ≤ ±3%

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size							기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Diamond	조각	2”	3”	4”	5”	6”	8”	플랫	노치	Normal	Special

공정(process)명

Vacuum annealing furnace (진공 어닐링 퍼니스)

모델명	WEBB189	Maker	R.D. WEBB Company
담당자	유석범	연락처	031-299-4196
E-mail	q.fab@skku.edu	상태	(가동중)
장비 사양	Max. Temp. : ≤1400 ℃ Max. Time : ≤ 4 hours Vacuum : ≤10-6 mbar
공정 성능	높은 결맞음 특성 얇은 광 선폭 특성 다이아몬드 점결함 생성

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size							기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Diamond	조각	2”	3”	4”	5”	6”	8”	플랫	노치	Normal	Special

공정(process)명

I-line stepper (@KANC)

모델명	I-line Stepper II(양자팹) (NSR-2005i10C)
Maker	NIKON	담당자	장민철
연락처	031-546-6224	E-mail	minchul.jang@kanc.re.kr
상태	KANC에서 서비스
장비 사양	Light source : UV Lamp(1750W) Reduction Exposure(5x) Resolution : 0.45㎛(L/S) Wafer size : 4inch (2inch , 3inch 협의필요) Field size : 20mm X 20mm
공정 성능	L/S Resolution wafer uniformity [AZ MIR-701 Photoresist(11cP)] 400nm line : AVG: 399.4 , uniformity : 2.79% 500nm line : AVG: 500 , uniformity : 0.0% L/S Resolution wafer to wafer [AZ MIR-701 Photoresist(11cP)] 400nm line : AVG: 399.4 , uniformity : 1.19% 500nm line : AVG: 499.8 , uniformity : 0.25%

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size						기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Glass	조각	2”	4”	6”	8”	12”	플랫	노치	Standard	Special
												1T

공정(process)명

ICP etcher I (@KANC)

모델명	ICP etcher I(양자팹) (ICP 380 System 100)
Maker	OXFORD SYSTEM	담당자	이근우
연락처	031-546-6114	E-mail	keunwoo.lee@kanc.re.kr
상태	KANC에서 서비스
장비 사양	Wafer size : pieces ~ 6 inch Plasma source : ICP Generator : 5KW / 2MHz Chuck : Mechanical Chuck Temp : 20℃ Gas Line : CF4 , CHF3 , C4F8 , SF6 , O2
공정 성능	Etching material : SiO2, SiN, PMMA KANC PECVD SiO2 Etch rate : 약 2,700Å/mim KANC PECVD SiN Etch rate : 약 4,200Å/mim KANC Imprinted PMMA Etch rate : 약 1,160Å/mim Uniformity (WIW) : < ± : 5% Uniformity (WIW) : < ± : 3%

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size						기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Glass	조각	2”	4”	6”	8”	12”	플랫	노치	Standard	Special

공정(process)명

ICP etcher II (@KANC)

모델명	ICP etcher II(양자팹) (ICP 380 System 100)
Maker	OXFORD SYSTEM	담당자	이근우
연락처	031-546-6114	E-mail	keunwoo.lee@kanc.re.kr
상태	KANC에서 서비스
장비 사양	Wafer size : pieces ~ 6 inch Plasma source : ICP Generator : 5KW / 2MHz Chuck : Mechanical Chuck Temp : 20℃ Gas Line : CF4 , CHF3 , C4F8 , SF6 , O2
공정 성능	Etching material : SiO2, SiN, PMMA KANC PECVD SiO2 Etch rate : 약 2,700Å/mim KANC PECVD SiN Etch rate : 약 4,200Å/mim KANC Imprinted PMMA Etch rate : 약 1,160Å/mim Uniformity (WIW) : < ± : 5% Uniformity (WIW) : < ± : 3%

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size						기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Glass	조각	2”	4”	6”	8”	12”	플랫	노치	Standard	Special

공정(process)명

저선량 이온빔 주입장치(@KAERI)

모델명	저선량 이온빔 주입장치
Maker	_	담당자	석재권
연락처	054-750-5307	E-mail	jksuk@kaeri.re.kr
상태	KAERI에서 서비스
장비 사양 & 공정 성능	기체 이온빔 장치 에너지 (keV) : 20 ~ 200 빔전류 (mA) : ~ 5.0 가용 이온 : H, He, N, O, Ne, Ar, Kr, Xe 등 조사 면적 : 최대 지름 150 mm 금속 이온빔 장치 에너지 (keV) : 20 ~ 150 빔전류 (mA) : ~ 1.0 가용 이온 : Co, Fe, Cu, Cr 등 조사 면적 : 최대 100 x 100 mm

○ (가능) / △ (협의 필요) / X (불가)

기판 종류			기판 Size						기판 Type		기판 두께
Si	Ⅲ-Ⅴ	Glass	조각	2”	4”	6”	8”	12”	플랫	노치	Standard	Special

공정(process)명

E-beam lithography 2 (2024년 서비스 예정)

공정(process)명

E-beam lithography 3 (2024년 서비스 예정)

공정(process)명

LASER direct patterning (2024년 서비스 예정)

공정(process)명

Deep RIE (2024년 서비스 예정)

공정(process)명

ALD (2024년 서비스 예정)

공정(process)명

PECVD (2024년 서비스 예정)